S
Qualcomm Snapdragon 835
SOC
Qualcomm
Qualcomm Snapdragon 835 是由 Qualcomm 推出的 SOC 产品，采用 Qualcomm 官方公布的 10 nm 制程工艺。产品采用 8 核架构设计，热设计功耗（TDP）为 9 W，整体规格面向主流高性能应用场景。
处理器
纠错
架构
4x 2.45 GHz – Kryo 280 (Cortex-A73)4x 1.9 GHz – Kryo 280 (Cortex-A53)
主频
2450 MHz
核心数
8
指令集
ARMv8-A
1级缓存
128 KB
2级缓存
0
制程
10 nm
晶体管数
3
TDP功耗
9 W
制造厂
Samsung
显卡
纠错
显卡型号
Adreno 540
主频
739 MHz
执行单元
1
着色单元
384
Vulkan 版本
1.0
OpenCL 版本
2.0
DirectX 版本
11
显存
纠错
显存类型
LPDDR4X
内存频率
1866 MHz
总线
2x 32 Bit
最大带宽
29.8 Gbit/s
多媒体
纠错
神经网络处理器 (NPU)
Hexagon 682
存储类型
UFS 2.1
最大显示分辨率
3840 x 2160
最大相机分辨率
1x 32MP, 2x 16MP
视频拍摄
4K at 30FPS
视频播放
4K at 30FPS
视频编码
H.264, H.265, VP9
音频编码
AAC, AIFF, CAF, MP3, MP4, WAV
网络
纠错
4G网络
LTE Cat. 16
5G网络
否
下载速度
Up to 1000 Mbps
上传速度
Up to 150 Mbps
Wi-Fi
5
蓝牙
5.0
导航定位
GPS, GLONASS, Beidou, Galileo, QZSS, SBAS
其他信息
纠错📊 基准测试
AnTuTu 10 单核
339,384
Geekbench 6 单核
415
Geekbench 6 多核
1,519
FP32 (float) 单核
567