SOC

Qualcomm Snapdragon 821

Qualcomm 40 规格参数

关于

Qualcomm Snapdragon 821 是由 Qualcomm 推出的 SOC 产品，采用 Qualcomm 官方公布的 14 nm 制程工艺。产品采用 4 核架构设计，热设计功耗（TDP）为 11 W，整体规格面向主流高性能应用场景。

规格参数

处理器

架构

2x 2.342 GHz – Kryo2x 1.6 GHz – Kryo

主频

2342 MHz

核心数

4

指令集

ARMv8-A

1级缓存

64 KB

2级缓存

0

制程

14 nm

晶体管数

2

TDP功耗

11 W

制造厂

Samsung

显卡

显卡型号

Adreno 530

主频

653 MHz

执行单元

1

着色单元

256

Vulkan 版本

1.0

OpenCL 版本

2.0

DirectX 版本

11

显存

显存类型

LPDDR4

内存频率

1866 MHz

总线

4x 16 Bit

最大带宽

29.8 Gbit/s

多媒体

神经网络处理器 (NPU)

Hexagon 680

存储类型

eMMC 5.1, UFS 2.0

最大显示分辨率

3840 x 2160

最大相机分辨率

1x 28MP, 2x 13MP

视频拍摄

4K at 30FPS

视频播放

4K at 30FPS

视频编码

H.264, H.265, VP8, VP9

音频编码

AIFF, CAF, MP3, MP4, WAV

网络

4G网络

LTE Cat. 12

5G网络

No

下载速度

Up to 600 Mbps

上传速度

Up to 150 Mbps

Wi-Fi

5

蓝牙

4.1

导航定位

GPS, GLONASS, Beidou, Galileo

其他信息

发行日期

Aug 2016

级别

Flagship

型号

MSM8996 Pro-AC

官网链接

官方链接 ↗

跑分数据

Geekbench 6 Single Core 391

Geekbench 6 Multi Core 797

FP32 (float) 334

性能排行榜

Geekbench 6 Single Core

145 MediaTek Helio G85 416

146 Qualcomm Snapdragon 835 415

147 Qualcomm Snapdragon 680 414

148 HiSilicon Kirin 960 408

149 Qualcomm Snapdragon 821 391

150 HiSilicon Kirin 970 386

151 Qualcomm Snapdragon 670 384

152 MediaTek Helio P65 377

153 Samsung Exynos 9610 374

Geekbench 6 Multi Core

175 MediaTek Helio G35 813

176 Samsung Exynos 7884B 810

177 HiSilicon Kirin 659 810

178 Qualcomm Snapdragon 439 799

179 Qualcomm Snapdragon 821 797

180 Qualcomm Snapdragon 450 763

181 MediaTek Helio A25 708

182 Samsung Exynos 7880 654

183 MediaTek Helio G25 524

Qualcomm Snapdragon 821

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