SOC

HiSilicon Kirin 990 4G

38 规格参数

关于

HiSilicon Kirin 990 4G 是由推出的 SOC 产品，采用官方公布的 7 nm 制程工艺。产品采用 8 核架构设计，热设计功耗（TDP）为 6 W，整体规格面向主流高性能应用场景。

规格参数

处理器

架构

2x 2.86 GHz – Cortex-A762x 2.09 GHz – Cortex-A764x 1.86 GHz – Cortex-A55

主频

2860 MHz

核心数

8

指令集

ARMv8.2-A

1级缓存

512 KB

2级缓存

0

制程

7 nm

晶体管数

8

TDP功耗

6 W

制造厂

TSMC

显卡

显卡型号

Mali-G76 MP16

主频

600 MHz

执行单元

16

着色单元

36

Vulkan 版本

1.3

OpenCL 版本

2.0

DirectX 版本

12

显存

显存类型

LPDDR4X

内存频率

2133 MHz

总线

4x 16 Bit

最大带宽

34.1 Gbit/s

多媒体

神经网络处理器 (NPU)

Da Vinci

存储类型

UFS 2.1, UFS 3.0

最大显示分辨率

3360 x 1440

视频拍摄

4K at 60FPS

视频播放

4K at 60FPS

视频编码

H.264, H.265, VC-1

音频编码

AIFF, CAF, MP3, MP4, WAV

网络

4G网络

LTE Cat. 19

5G网络

No

下载速度

Up to 1400 Mbps

上传速度

Up to 200 Mbps

Wi-Fi

6

蓝牙

5.0

导航定位

GPS, GLONASS, Beidou, Galileo

其他信息

发行日期

Oct 2019

级别

Flagship

官网链接

官方链接 ↗

跑分数据

AnTuTu 10 695853

Geekbench 6 Single Core 990

Geekbench 6 Multi Core 3179

FP32 (float) 691

性能排行榜

Geekbench 6 Single Core

85 Qualcomm Snapdragon 6s Gen 4 1008

86 Samsung Exynos 1380 1000

87 Qualcomm Snapdragon 860 996

88 MediaTek Dimensity 1050 995

89 HiSilicon Kirin 990 4G 990

90 Qualcomm Snapdragon 7 Gen 1 969

91 MediaTek Dimensity 1080 969

92 MediaTek Dimensity 7050 962

93 Qualcomm Snapdragon 6s Gen 3 940

Geekbench 6 Multi Core

68 Qualcomm Snapdragon 865 3277

69 MediaTek Dimensity 8050 3242

70 MediaTek Dimensity 1200 3198

71 MediaTek Dimensity 7400 3191

72 HiSilicon Kirin 990 4G 3179

73 Qualcomm Snapdragon 7s Gen 3 3146

74 MediaTek Dimensity 7300 3025

75 Qualcomm Snapdragon 6 Gen 4 3013

76 Qualcomm Snapdragon 778G Plus 3008

HiSilicon Kirin 990 4G

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性能排行榜

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