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Qualcomm Snapdragon X2 Elite X2E-88-100

SOC Qualcomm 2025年9月 发布

Qualcomm Snapdragon X2 Elite X2E-88-100 是由 Qualcomm 推出的笔记本级 SOC 产品,采用 Qualcomm 官方公布的 3 nm 制程工艺,于 2025 年 9 月发布。产品采用 6 核 18 线程架构设计,基础频率为 3.6,最高睿频可达 4.7 GHz,热设计功耗(TDP)为 80 W,并配备 53 MB 三级缓存,使用 Custom 插槽,整体规格面向笔记本应用场景。

基本参数

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发行日期
2025年9月
厂商
Qualcomm
类型
笔记本
指令集
ARMv9
内核架构
Snapdragon X
处理器编号
X2-88-100
核芯显卡
Adreno X2-90

封装

纠错
制程
3 nm
插槽
Custom
功耗
23 W
最大睿频功耗
80 W

CPU性能

纠错
性能核
6
性能核线程
6
性能核基础频率
3.0 GHz
性能核睿频
3.4 GHz
能效核
12
能效核线程
12
能效核基础频率
3.6
能效核睿频
4.7 GHz
总核心数
18
总线程数
18
总线频率
100 MHz
倍频
30
三级缓存
53 MB
非锁频

内存参数

纠错
内存类型
LPDDR5X-9523
最大内存大小
128 GB
最大内存通道数
8
最大内存带宽
152 GB/s
支持 ECC 内存

显卡参数

纠错
核显芯片
显卡基本频率
500 MHz
显卡最大动态频率
1700 MHz
着色器数量
1536
纹理单元
96
光栅处理单元
48
执行单元
6

AI加速

纠错
NPU
Qualcomm Hexagon NPU
理论性能
80 TOPS

其他

纠错
官网链接
官方链接 ↗
PCIe版本
5.0
PCIe通道数
16

📊 基准测试

Cinebench R23 单核 2,006
Cinebench R23 多核 20,200
Geekbench 6 单核 3,836
Geekbench 6 多核 20,306
Cinebench 2024 单核 145
Cinebench 2024 多核 1,432

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