SOC

HiSilicon Kirin 810

39 规格参数

关于

HiSilicon Kirin 810 是由推出的 SOC 产品，采用官方公布的 7 nm 制程工艺。产品采用 8 核架构设计，热设计功耗（TDP）为 5 W，整体规格面向主流高性能应用场景。

规格参数

处理器

架构

2x 2.27 GHz – Cortex-A766x 1.9 GHz – Cortex-A55

主频

2270 MHz

核心数

8

指令集

ARMv8.2-A

1级缓存

256 KB

2级缓存

0

制程

7 nm

晶体管数

6.9

TDP功耗

5 W

显卡

显卡型号

Mali-G52 MP6

主频

820 MHz

执行单元

6

着色单元

24

Vulkan 版本

1.3

OpenCL 版本

2.0

DirectX 版本

12

显存

显存类型

LPDDR4X

内存频率

2133 MHz

总线

4x 16 Bit

最大带宽

31.78 Gbit/s

多媒体

神经网络处理器 (NPU)

Yes

存储类型

eMMC 5.1, UFS 2.1

最大显示分辨率

3840 x 2160

最大相机分辨率

1x 48MP, 2x 20MP

视频拍摄

1K at 30FPS

视频播放

1080p at 60FPS

视频编码

H.264, H.265

音频编码

AIFF, CAF, MP3, MP4, WAV

网络

4G网络

LTE Cat. 12

5G网络

No

下载速度

Up to 600 Mbps

上传速度

Up to 150 Mbps

Wi-Fi

6

蓝牙

5.0

导航定位

GPS, GLONASS, Beidou, Galileo

其他信息

发行日期

Jun 2019

级别

Mid range

型号

Hi6280

官网链接

官方链接 ↗

跑分数据

Geekbench 6 Single Core 778

Geekbench 6 Multi Core 1992

性能排行榜

Geekbench 6 Single Core

107 HiSilicon Kirin 980 835

108 Qualcomm Snapdragon 765G 801

109 Qualcomm Snapdragon 690 797

110 MediaTek Dimensity 810 787

111 HiSilicon Kirin 810 778

112 MediaTek Dimensity 720 774

113 MediaTek Dimensity 6080 772

114 MediaTek Dimensity 6100 Plus 771

115 Unisoc T820 764

Geekbench 6 Multi Core

106 MediaTek Dimensity 6080 2077

107 Qualcomm Snapdragon 845 2075

108 MediaTek Helio G100 2028

109 MediaTek Helio G99 1994

110 HiSilicon Kirin 810 1992

111 MediaTek Dimensity 6100 Plus 1965

112 MediaTek Dimensity 810 1945

113 MediaTek Dimensity 6020 1941

114 Samsung Exynos 1280 1927

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