SOC

Qualcomm Snapdragon 820

Qualcomm 40 规格参数

关于

Qualcomm Snapdragon 820 是由 Qualcomm 推出的 SOC 产品，采用 Qualcomm 官方公布的 14 nm 制程工艺。产品采用 4 核架构设计，热设计功耗（TDP）为 11 W，整体规格面向主流高性能应用场景。

规格参数

处理器

架构

2x 2.15 GHz – Kryo2x 1.593 GHz – Kryo

主频

2150 MHz

核心数

4

指令集

ARMv8-A

1级缓存

64 KB

2级缓存

0

制程

14 nm

晶体管数

2

TDP功耗

11 W

制造厂

TSMC

显卡

显卡型号

Adreno 530

主频

624 MHz

执行单元

1

着色单元

256

Vulkan 版本

1.0

OpenCL 版本

2.0

DirectX 版本

11

显存

显存类型

LPDDR4

内存频率

1866 MHz

总线

2x 32 Bit

最大带宽

29.8 Gbit/s

多媒体

神经网络处理器 (NPU)

Hexagon 680

存储类型

eMMC 5.1, UFS 2.0

最大显示分辨率

3840 x 2160

最大相机分辨率

1x 28MP, 2x 13MP

视频拍摄

4K at 30FPS

视频播放

4K at 30FPS

视频编码

H.264, H.265

音频编码

AIFF, CAF, MP3, MP4, WAV

网络

4G网络

LTE Cat. 12

5G网络

No

下载速度

Up to 600 Mbps

上传速度

Up to 150 Mbps

Wi-Fi

5

蓝牙

4.1

导航定位

GPS, GLONASS, Beidou, Galileo, QZSS, SBAS

其他信息

发行日期

Nov 2015

级别

Flagship

型号

MSM8996

官网链接

官方链接 ↗

跑分数据

AnTuTu 10 260148

Geekbench 6 Single Core 323

Geekbench 6 Multi Core 827

FP32 (float) 319

性能排行榜

Geekbench 6 Single Core

159 Qualcomm Snapdragon 662 339

160 Qualcomm Snapdragon 665 337

161 Samsung Exynos 7885 336

162 MediaTek Helio A22 334

163 Qualcomm Snapdragon 820 323

164 HiSilicon Kirin 710A 321

165 Mediatek Helio P60 299

166 Qualcomm Snapdragon 632 296

167 Qualcomm Snapdragon 636 295

Geekbench 6 Multi Core

169 Samsung Exynos 7885 866

170 MediaTek Helio G36 848

171 Samsung Exynos 7420 840

172 Qualcomm Snapdragon 430 832

173 Qualcomm Snapdragon 820 827

174 MediaTek Helio P35 814

175 MediaTek Helio G35 813

176 Samsung Exynos 7884B 810

177 HiSilicon Kirin 659 810

Qualcomm Snapdragon 820

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跑分数据

性能排行榜

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