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Qualcomm Snapdragon X2 Elite X2E-80-100
SOC
Qualcomm
2025年9月 发布
Qualcomm Snapdragon X2 Elite X2E-80-100 是由 Qualcomm 推出的笔记本级 SOC 产品，采用 Qualcomm 官方公布的 3 nm 制程工艺，于 2025 年 9 月发布。产品采用 6 核 12 线程架构设计，基础频率为 3.6，最高睿频可达 3.6，热设计功耗（TDP）为 60 W，并配备 34 MB 三级缓存，使用 Custom 插槽，整体规格面向笔记本应用场景。
基本参数
纠错
发行日期
2025年9月
厂商
Qualcomm
类型
笔记本
指令集
ARMv9
内核架构
Snapdragon X2
处理器编号
X2E-80-100
核芯显卡
Qualcomm Adreno X2-85
封装
纠错
制程
3 nm
插槽
Custom
功耗
23 W
最大睿频功耗
60 W
CPU性能
纠错
性能核
6
性能核线程
6
性能核基础频率
4.0 GHz
性能核睿频
4.7 GHz
能效核
6
能效核线程
6
能效核基础频率
3.6
能效核睿频
3.6
总核心数
12
总线程数
12
倍频
40
三级缓存
34 MB
非锁频
否
内存参数
纠错
内存类型
LPDDR5x-9523
最大内存大小
128 GB
最大内存通道数
8
最大内存带宽
152 GB/s
支持 ECC 内存
否
显卡参数
纠错
核显芯片
是
显卡最大动态频率
1700 MHz
着色器数量
1536
纹理单元
48
光栅处理单元
6
执行单元
6
AI加速
纠错
NPU
Qualcomm Hexagon NPU
理论性能
80 TOPS